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元件参数资料
>
参数目录40258
> STS2DPF80 MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
型号:
STS2DPF80
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
STS2DPF80 PDF
产品目录绘图
ST Series 8-SOIC, 8-TSSOP
标准包装
2,500
系列
STripFET™
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
739pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-8040-2
STS2DPF80-ND
查看STS2DPF80代理商
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